img
Structural and Optical Properties of Indium Selenide (InSe) Thin Films Deposited on Glass and GaSe Single Crystal Substrates by SILAR Method      
Yazarlar
Doç. Dr. Hüseyin ERTAP Doç. Dr. Hüseyin ERTAP
Kafkas Üniversitesi, Türkiye
Mustafa Yüksek
Kafkas Üniversitesi, Türkiye
Mevlüt Karabulut
Gebze Teknik Üniversitesi, Türkiye
Özet
SILAR metodu ile cam ve tabakalı Galyum Selenit (GaSe) tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen saf ve bor katkılı İndiyum Selenit (InSe) ince filmlerinin yapısal, morfolojik ve optik özellikleri XRD, AFM ve UV-Vis spektrofotometre teknikleri ile araştırıldı. XRD ölçümlerinden cam alt tabanlar üzerinde büyütülen InSe ince filmlerinin örgü parametrelerinin a=7.1286 Å, c=19.382 Å ve z=6 olan hekzagonal P61 γ-In2Se3 iken GaSe tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen InSe ince filmlerinin örgü parametrelerinin a=4.005 Å, c=16.640 Å ve z=4 olan hekzagonal P63/mmc InSe olduğu görüldü. AFM görüntülerinden cam ve GaSe tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen saf ve bor katkılı InSe ince filmlerinin ortalama parçacık boyutlarının sırasıyla 26.5-60.2 nm ve 30.9-101.5 nm aralığında değiştiği bulundu. Hem cam hem de GaSe tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen saf ve bor katkılı InSe ince filmlerinin optik soğurma spektrumlarında sırasıyla 2.00 ve 2.24 eV civarında soğurma maksimumları gösterdi. Cam alt tabanlar üzerinde büyütülen InSe ince filmlerinin Urbach enerjilerinin GaSe tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen InSe ince filmlerinin Urbach enerjilerinden daha büyük olduğu bulundu.
Anahtar Kelimeler
Makale Türü Özgün Makale
Makale Alt Türü Ulusal alan endekslerinde (TR Dizin, ULAKBİM) yayımlanan tam makale
Dergi Adı Cumhuriyet Science Journal
Dergi ISSN 2587-2680
Dergi Tarandığı Indeksler TR DİZİN
Makale Dili Türkçe
Basım Tarihi 09-2019
Cilt No 40
Sayı 3
Sayfalar 602 / 611
Doi Numarası 10.17776/csj.519415
Makale Linki https://dergipark.org.tr/tr/doi/10.17776/csj.519415