Structural and Optical Properties of Indium Selenide (InSe) Thin Films Deposited on Glass and GaSe Single Crystal Substrates by SILAR Method
Yazarlar (3)
Prof. Dr. Hüseyin ERTAP Kafkas Üniversitesi, Türkiye
Mustafa Yüksek Kafkas Üniversitesi, Türkiye
Mevlüt Karabulut Gebze Teknik Üniversitesi, Türkiye
| Makale Türü |
Özgün Makale
(Ulusal alan endekslerinde (TR Dizin, ULAKBİM) yayınlanan tam makale)
|
||
| Dergi Adı | Cumhuriyet Science Journal | ||
| Dergi ISSN | 2587-2680 | ||
| Dergi Tarandığı Indeksler | TR DİZİN | ||
| Makale Dili | İngilizce | Basım Tarihi | 09-2019 |
| Cilt / Sayı / Sayfa | 40 / 3 / 602–611 | DOI | 10.17776/csj.519415 |
| Makale Linki | https://dergipark.org.tr/tr/doi/10.17776/csj.519415 | ||
| Özet |
| SILAR metodu ile cam ve tabakalı Galyum Selenit (GaSe) tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen saf ve bor katkılı İndiyum Selenit (InSe) ince filmlerinin yapısal, morfolojik ve optik özellikleri XRD, AFM ve UV-Vis spektrofotometre teknikleri ile araştırıldı. XRD ölçümlerinden cam alt tabanlar üzerinde büyütülen InSe ince filmlerinin örgü parametrelerinin a=7.1286 Å, c=19.382 Å ve z=6 olan hekzagonal P61 γ-In2Se3 iken GaSe tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen InSe ince filmlerinin örgü parametrelerinin a=4.005 Å, c=16.640 Å ve z=4 olan hekzagonal P63/mmc InSe olduğu görüldü. AFM görüntülerinden cam ve GaSe tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen saf ve bor katkılı InSe ince filmlerinin ortalama parçacık boyutlarının sırasıyla 26.5-60.2 nm ve 30.9-101.5 nm aralığında değiştiği bulundu. Hem cam hem de GaSe tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen saf ve bor katkılı InSe ince filmlerinin optik soğurma spektrumlarında sırasıyla 2.00 ve 2.24 eV civarında soğurma maksimumları gösterdi. Cam alt tabanlar üzerinde büyütülen InSe ince filmlerinin Urbach enerjilerinin GaSe tek kristal alt tabanlar üzerinde büyütülen InSe ince filmlerinin Urbach enerjilerinden daha büyük olduğu bulundu. |
| Anahtar Kelimeler |