| Yazarlar (2) |
Prof. Dr. Hüseyin ERTAP
Kafkas Üniversitesi, Türkiye |
Mevlüt Karabulut
Gebze Teknik Üniversitesi, Türkiye |
| Özet |
| Bu çalışmada, germanyum katkılı Galyum Selenit (GaSe) tek kristallerinin elektriksel özellikleri araştırıldı. Germanyum katkılı GaSe tek kristalleri geleneksel Bridgman metodu ile büyütüldü. Schottky eklemleri GaSe:Ge yüzeyleri üzerine Te ve Ag elementleri eritilerek elde edildi. Elektrik ölçümleri için indiyum kontaklar yapıldı. Schottky eklemlerinin karakteristik özellikleri elektrik alan ve sıcaklığın fonksiyonuna bağlı olarak araştırıldı. Elde edilen Schottky eklemlerinde düz yöndeki akımın ters yöndeki akıma oranının uygulanan elektrik alan ve ışıkla uyarılmaya bağlı olarak değiştiği gözlemlendi. Schottky eklemleri asimetrik akım-gerilim (I-V) karakteristiği gösterdi. In/GaSe:Ge/Ag/In Schottky ekleminin ışık duyarlılığının In/GaSe:Ge/Te/In Schottky ekleminden daha yüksek olduğu bulundu. In/GaSe:Ge/Te/In ve In/GaSe:Ge/Ag/In Schottky eklemlerinin bariyer yükseklikleri sırasıyla 52.92 meV and 41.82 meV olarak hesaplandı. Her iki Schottky ekleminin de bariyer yüksekliği uygulanan elektrik alanla azaldı. Schottky eklemlerinin bariyer yükseklikleri uygulanan elektrik alanın karekökü ile orantılı olarak gibi küçüldüğü ve akımın uygulanan elektrik alanın karekökü ile gibi üstel olarak değiştiği bulundu. Bu sonuçların Frenkel termoelektrik alan teorisi ile uyumlu olduğu görüldü. |
| Anahtar Kelimeler |
| Makale Türü | Özgün Makale |
| Makale Alt Türü | Diğer hakemli uluslarası dergilerde yayınlanan tam makale |
| Dergi Adı | Caucasian Journal of Science |
| Dergi ISSN | 2148-6840 |
| Makale Dili | Türkçe |
| Basım Tarihi | 08-2018 |
| Cilt No | 5 |
| Sayı | 1 |
| Sayfalar | 43 / 55 |
