| Yazarlar |
Ahmet Kürşat Bilgili
|
|
Ömer Akpınar
Türkiye |
Öğr. Gör. Naki KAYA
Kafkas Üniversitesi, Türkiye |
|
Mustafakemal Öztürk
Gazi Üniversitesi, Türkiye |
| Özet |
| Bu çalışmada, Al0.3Ga0.7N/GaN yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) yapısı, metal-organik buhar fazlı epitaksi (MOVPE) kullanılarak safir (Al2O3) bir alttaş üzerinde büyütülmüş, elektron taşıma ve manyetik taşıma özellikleri incelenmiştir. Özdirenç 20-350 K sıcaklık aralığında ölçülmüştür. Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı konsantrasyonu, 0-1,5 T manyetik alan aralığında ve aynı sıcaklık aralığında ölçülmüştür. Manyetik taşıma özellikleri, kantitatif hareketlilik spektrum analizi (QMSA) kullanılarak analiz edilmiştir. 2DEG ve 3DEG taşıma mekanizmaları QMSA sonuçları ile birbirinden ayrılmıştır. |
| Anahtar Kelimeler |
| GaN,HEMT,AlGaN,QMSA,Hall,Mobilite |
| Makale Türü | Özgün Makale |
| Makale Alt Türü | Ulusal alan endekslerinde (TR Dizin, ULAKBİM) yayımlanan tam makale |
| Dergi Adı | Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi |
| Dergi ISSN | 2564-7377 |
| Dergi Tarandığı Indeksler | TR DİZİN |
| Makale Dili | İngilizce |
| Basım Tarihi | 12-2023 |
| Makale Linki | https://dergipark.org.tr/tr/pub/kfbd/issue/81367 |
