Application of QMSA Method for Al0.3Ga0.7N/GaN HEMT Structure
Yazarlar (4)
Gazi Üniversitesi, Türkiye
Gazi Üniversitesi, Türkiye
Dr. Öğr. Üyesi Naki KAYA
Kafkas Üniversitesi, Türkiye
Gazi Üniversitesi, Türkiye
| Makale Türü |
Özgün Makale
(Ulusal alan endekslerinde (TR Dizin, ULAKBİM) yayınlanan tam makale)
|
||
| Dergi Adı | Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi | ||
| Dergi ISSN | 2564-7377 | ||
| Dergi Tarandığı Indeksler | TR DİZİN | ||
| Makale Dili | İngilizce | Basım Tarihi | 12-2023 |
| Cilt / Sayı / Sayfa | 13 / 4 / 1377–1385 | DOI | 10.31466/kfbd.1276114 |
| Makale Linki | https://dergipark.org.tr/tr/pub/kfbd/issue/81367 | ||
| Özet |
| Bu çalışmada, Al0.3Ga0.7N/GaN yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) yapısı, metal-organik buhar fazlı epitaksi (MOVPE) kullanılarak safir (Al2O3) bir alttaş üzerinde büyütülmüş, elektron taşıma ve manyetik taşıma özellikleri incelenmiştir. Özdirenç 20-350 K sıcaklık aralığında ölçülmüştür. Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı konsantrasyonu, 0-1,5 T manyetik alan aralığında ve aynı sıcaklık aralığında ölçülmüştür. Manyetik taşıma özellikleri, kantitatif hareketlilik spektrum analizi (QMSA) kullanılarak analiz edilmiştir. 2DEG ve 3DEG taşıma mekanizmaları QMSA sonuçları ile birbirinden ayrılmıştır. |
| Anahtar Kelimeler |
| GaN | HEMT | AlGaN | QMSA | Hall | Mobilite |